在晶体振荡电路中，三极管、二极管和电阻器、电容器、电感器等元器件都存在着噪声，尤其以造成震荡信号的功率三极管噪声危害较大；而电感器、电容器等元器件，在噪声研究中，可类似是无噪声元器件。在放大仪上添反馈调节元器件组成震荡器时，噪声并对震荡器数据信号开展调配而产生白噪声调相、白噪声电台广播和闪变噪声调相、闪变噪声电台广播等噪声方式。
依据LESSON模型分析，晶体震荡器的相位差噪声与晶体振荡电路的有载品质因素(Q)值息息相关，有载Q 值越大，相位差噪声加重的水平越小。所以在低相噪晶振电路设计里，一般紧紧围绕怎样提高有载Q值进行科学研究。晶体振荡电路的有载Q值主要是由振荡电路中晶体谐振器本身Q值及其所使用的振荡电路网络拓扑结构所确定。晶体谐振器自已的Q值受制于晶体加工工艺，不太可能不受限制提高，因而怎样进一步提升晶体谐振器在振荡电路里的有载Q值是低相噪晶振电路定制的重要。
常见的晶体振荡电路主要包括并接意见反馈型振荡电路和串联反馈型振荡电路。并接振荡电路中，晶体谐振器坚守在串、串联谐振工作频率中间,晶体呈理性；常见的并接振荡电路包含皮尔斯电源电路和考毕兹电路。串联振荡电路是把晶体串联在正谐振电路中，晶体谐振器坚守在串联串联谐振，晶体呈纯阻性。常见的串联振荡电路一般为巴勒特电源电路。